AI 晚報｜2026/09/20：CXMT 第五代 DRAM 正式量產，11.95nm＋四重圖形化，單片晶圓毛晶粒數至少增 50%｜文章

中國記憶體廠 CXMT 今天宣布，第五代 DRAM 技術平台已正式進入量產，關鍵儲存結構間距縮到 11.95nm，並利用 Quadruple Patterning 製造更細密電路；公司稱，相較上一代平台，每片晶圓可產出的毛晶粒數至少增加 50%。首批兩款 24Gb LPDDR5X 也已量產，單顆容量較前代同級產品高 50%。這次公布的不是 AI GPU 使用的 HBM，而是更基礎的 DRAM 製造平台；真正值得看的，是中國記憶體供應鏈開始同時往一般 DRAM、HBM 與 NAND 三條線推進。

昨天才傳出 CXMT 準備跨進 NAND。

今天它又丟出另一個更直接的訊號：

自己的核心 DRAM 製程，正式進量產了。

中國記憶體廠 CXMT 今天宣布，

公司的 第五代 DRAM Technology Platform 已經進入 Mass Production。

裡面有三個數字最值得看：

11.95nm

24Gb

以及：

至少多 50% 毛晶粒數。

這幾個數字代表的不是：

「又推出一顆新記憶體。」

而是：

同一片 Silicon Wafer，開始有能力塞進更多、更高密度的 DRAM。

先講清楚：今天不是 HBM 新聞

看到：

CXMT、

Memory、

AI、

很容易直接想到：

HBM。

但今天 CXMT 正式公布的兩款產品是：

24-gigabit LPDDR5X。

LPDDR5X 主要用在：

Smartphone
Tablet
Portable Electronics

強調低功耗與高記憶體密度。

它不是 Nvidia GPU 旁邊那種專門替 AI Accelerator 提供超高頻寬的 HBM。

所以這篇不能寫成：

「中國正式量產新一代 AI HBM。」

那是不準確的。

今天真正突破的是更底層的一件事：

DRAM 製程能力。

DRAM 到底是什麼？

可以把電腦記憶體想成工作桌。

SSD／NAND 比較像：

檔案櫃。

資料可以長期放著。

DRAM 則像：

正在工作的桌面。

CPU、手機處理器、Server 在執行程式時，

要快速拿取大量暫存資料，

主要就靠 DRAM。

所以從：

手機、

PC、

Cloud Server、

Data Center

一路到 AI Workload，

都離不開 DRAM。

只是在最頂端的 AI Accelerator 裡，

還會再使用速度更高、封裝更特殊的：

HBM。

11.95nm 到底小在哪？

CXMT 今天說，

第五代平台把記憶體 Cell 關鍵結構之間的間距縮到：

11.95 nanometres。

大約是：

12 billionths of a metre。

簡單講：

原本一片晶圓上，

每個儲存結構需要比較大的空間。

現在間距變小，

同樣面積可以塞進：

更多 Memory Cells。

結果就是：

同一顆 Chip 可以放更多資料，

同一片 Wafer 也可能切出更多 Chips。

這正是記憶體製程進步最核心的方向之一。

但 CXMT 沒有最先進 EUV，可以怎麼繼續縮？

這裡就出現今天最有意思的技術：

Quadruple Patterning。

中文可以理解成：

四重圖形化。

先不要管半導體術語。

把它想成：

你本來用一個印版，

一次印不出那麼細的線。

那就：

第一次先做較大的 Pattern，

再透過多次分割、

重新沉積、

重新蝕刻，

一步一步把原本一條比較粗的 Pattern，

變成更細密的多條 Pattern。

也就是：

用更多製程步驟，換取更細的電路。

這不是沒有成本。

步驟愈多，

通常意味著：

製程更複雜、

時間更長、

誤差控制更難。

但對受到先進 Lithography Equipment 限制的中國晶片產業來說，

這是一條非常現實的路線。

為什麼這跟美國出口限制有關？

美國從 2022 年起，

持續限制中國取得部分：

Advanced Semiconductor Equipment

和相關 Software。

中國晶片廠面對的問題是：

如果拿不到全球最先進的某些設備，

還能不能用現有設備，

透過更多製程技巧把線路繼續縮小？

CXMT 今天公布的答案之一就是：

多重圖形化。

公司還表示，

這個平台開發過程使用：

Computer Simulations，

並與中國本土 Chip Equipment Makers 合作處理關鍵製程。

所以今天真正值得看的，

不只是 CXMT 本身。

而是：

中國正在試著把「設備＋製程＋記憶體設計」一起本地化。

新 LPDDR5X 一顆可以放 24Gb

CXMT 同時推出兩款：

24-gigabit LPDDR5X。

這裡的 Gb 是 Gigabit。

不是手機廣告常看到的 24GB。

8 bits = 1 byte。

所以 24Gb 換算下來，

單顆大約相當於：

3GB。

手機廠可以依實際設計，

組合多顆記憶體 Die／Package，

做出更大的總記憶體容量。

CXMT 表示，

這兩款產品的容量比自己前一代同級產品：

增加 50%。

而且已經進入 Mass Production。

這就不是：

Research Demo。

也不是：

Laboratory Prototype。

而是準備真正進入供應鏈。

更重要的數字其實是「每片 Wafer 多 50%」

CXMT 還說，

以 8Gb Chip 為比較基準，

第五代平台每片 Wafer 能產出的：

Gross Chip Dies

比第四代：

至少增加 50%。

這個數字很重要。

因為晶片成本不能只看：

一顆做到多先進。

還要看：

一片 Wafer 最後能切出多少顆。

假設同樣一片 300mm Wafer，

可以多切出很多記憶體晶粒，

理論上就有機會降低：

每顆 Die 的平均製造成本。

但這裡還要加一個很重要的限制。

Gross Dies 多 50%，不代表可賣的晶片也多 50%

Reuters 特別提醒：

CXMT 說的是：

Gross Die Count。

也就是：

一片 Wafer 理論上切得出多少顆晶粒。

它不是：

Yield。

Yield 是：

這些晶粒裡最後真正通過測試、

可以出貨的比例。

例如：

舊製程一片 Wafer 有 500 顆，

良率 90%。

最後可用：

450 顆。

新製程可能做出 750 顆。

但如果早期良率只有 70%，

最後可用：

525 顆。

實際增加就沒有表面上的 50% 那麼多。

所以：

Die 數增加是好消息。

但真正決定成本競爭力的，

還要看：

Yield 能不能跟上。

CXMT 今天沒有公布這項完整數字。

CXMT 自己說已經追上先進量產節點

CXMT 副總裁 Luo Xiaodong 在合肥舉行的 2026 World Manufacturing Convention 表示：

公司的 Process Capability 現在已經可以與產業最先進的 Mass-produced Nodes 相比。

這是 CXMT 自己的說法。

目前 Reuters 報導沒有提供 Samsung、SK Hynix 或 Micron 對這項技術宣稱的獨立驗證。

所以比較準確的寫法應該是：

CXMT 認為自己已經接近最先進量產 DRAM 製程。

而不是直接下結論：

中國 DRAM 已全面追上三星與 SK Hynix。

實際市場排名還有差距

CXMT 的確進步得非常快。

Reuters 今年 7 月整理資料時指出，

CXMT 在 2025 年全球 DRAM 市場的 Share 約：

7.7%。

排名全球第四。

前面仍然是：

Samsung
SK Hynix
Micron

三大傳統記憶體廠。

所以今天這項量產突破真正代表的是：

第四名開始縮小技術差距。

不是全球市場排名突然反轉。

那為什麼這仍然和 AI 有關？

因為 AI Boom 已經不只吃 GPU。

Data Center 裡真正運作 AI Workload，

還需要大量：

Server DRAM
HBM
NAND Storage
Networking
Power
Cooling

Reuters 今年 6 月就曾報導：

CXMT 和 Tencent 簽下超過：

200 億人民幣

的長期 DRAM Supply Agreement。

供應的 DRAM 會進入 Tencent Servers。

而 Server 正是：

Cloud、

Database、

AI Workload

的重要基礎。

也就是說，

CXMT 並不是只在做手機記憶體。

HBM 這條線也正在往前

8 月底又傳出：

CXMT 已開始小批量生產：

HBM3E。

HBM3E 就是直接用在高性能 AI Chipset 的 Advanced High-bandwidth Memory。

當時的報導指出，

Alibaba T-Head、

Cambricon

等中國 Chip Designers 正在測試。

不過那項消息來自 The Information，

Reuters 是轉述報導，

而且是：

Small-volume Production。

不是今天這種正式宣布：

Mass Production。

所以這兩件事的證據強度不一樣。

今天真正由 CXMT 正式確認量產的是：

第五代 DRAM Platform＋24Gb LPDDR5X。

昨天的 NAND 又是另一條線

更有意思的是：

兩天前 Reuters 才獨家報導，

CXMT 正準備跨進：

NAND Flash。

公司據報計畫在北京新工廠建立：

NAND R&D Production Line。

NAND 跟 DRAM 功能不同。

DRAM：

暫存正在工作的資料。

NAND：

長期保存資料。

AI Server 現在兩個都大量需要。

因此把最近三條線放在一起看：

DRAM

今天第五代 Platform 已 Mass Production。

HBM

據報 HBM3E 已進入 Small-volume Production 與客戶驗證。

NAND

正在準備建立 R&D Production Line。

這才是今天真正值得注意的畫面。

CXMT 想做的不只是「再多賣一款手機記憶體」

如果只有今天的 LPDDR5X，

它主要還是手機與 Portable Device 市場。

但把：

Server DRAM、

HBM、

NAND

全部放在一起看，

CXMT 正慢慢從：

中國 DRAM 廠

往：

更完整的 Memory Supplier

移動。

而 AI Boom 剛好正在讓 Memory 重新變成戰略資產。

因為算力增加之後，

GPU 再快，

如果：

Memory Bandwidth 不夠、

Server DRAM 不夠、

Storage 不夠，

整套系統仍然會被卡住。

對 Samsung、SK Hynix、Micron 真正的威脅不是明天

也不要因此直接理解成：

三星、SK Hynix、Micron 明天就要被 CXMT 打掉。

現在最大的差距仍然包括：

Advanced Process Yield
HBM Scale
Advanced Packaging
Global Customer Qualification
Production Stability
Equipment Access

這些都不是發布一個新 Platform 就能一次補齊。

但競爭方向已經變得很清楚。

以前中國記憶體供應鏈最大的問題是：

有沒有。

接下來要比的會變成：

能不能量產。

再下一步則是：

良率、成本、容量與客戶能不能真的大規模採用。

今天真正的分水嶺是「從能做變成能量產」

研究室做出一顆記憶體，

和工廠每天穩定做出幾十萬、幾百萬顆，

是完全不同的問題。

半導體真正困難的地方往往不是：

第一次做出來。

而是：

同一個 Pattern，

每天重複幾萬次，

還要：

尺寸一致、

缺陷夠少、

成本夠低、

Yield 夠高。

所以今天 CXMT 最值得看的字其實不是：

11.95nm。

而是：

Mass Production。

因為只有跨過這條線，

技術才開始真正影響：

價格、

供應、

客戶選擇，

以及全球 Memory Market。

AI 算力戰最後不會只看誰能做出最強 GPU。

真正的大型 AI 系統，

需要的是整條供應鏈：

Compute

＋ Memory

＋ Storage

＋ Network

＋ Power。

CXMT 今天跨過的，

就是其中「Memory」這一塊更接近大規模競爭的一步。

今天，和 AI 一起進步一點。

每天學會一個 AI 技巧。

每天節省一點時間。

每天提升一點能力。

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