AI 晚报｜2026/09/20：CXMT 第五代 DRAM 正式量产，11.95nm＋四重图形化，单片晶圆毛晶粒数至少增 50%｜文章

中国内存厂 CXMT 今天宣布，第五代 DRAM 技术平台已正式进入量产，关键保存结构间距缩到 11.95nm，并利用 Quadruple Patterning 制造更细密电路；公司称，相较上一代平台，每片晶圆可产出的毛晶粒数至少增加 50%。首批两款 24Gb LPDDR5X 也已量产，单颗容量较前代同级产品高 50%。这次公布的不是 AI GPU 使用的 HBM，而是更基础的 DRAM 制造平台；真正值得看的，是中国内存供应链开始同时往一般 DRAM、HBM 与 NAND 三条线推进。

昨天才传出 CXMT 准备跨进 NAND。

今天它又丢出另一个更直接的信号：

自己的核心 DRAM 制程，正式进量产了。

中国内存厂 CXMT 今天宣布，

公司的 第五代 DRAM Technology Platform 已经进入 Mass Production。

里面有三个数字最值得看：

11.95nm

24Gb

以及：

至少多 50% 毛晶粒数。

这几个数字代表的不是：

「又推出一颗新内存。」

而是：

同一片 Silicon Wafer，开始有能力塞进更多、更高密度的 DRAM。

先讲清楚：今天不是 HBM 新闻

看到：

CXMT、

Memory、

AI、

很容易直接想到：

HBM。

但今天 CXMT 正式公布的两款产品是：

24-gigabit LPDDR5X。

LPDDR5X 主要用在：

Smartphone
Tablet
Portable Electronics

强调低功耗与高内存密度。

它不是 Nvidia GPU 旁边那种专门替 AI Accelerator 提供超高带宽的 HBM。

所以这篇不能写成：

「中国正式量产新一代 AI HBM。」

那是不准确的。

今天真正突破的是更底层的一件事：

DRAM 制程能力。

DRAM 到底是什么？

可以把电脑内存想成工作桌。

SSD／NAND 比较像：

文件柜。

数据可以长期放着。

DRAM 则像：

正在工作的桌面。

CPU、手机处理器、Server 在运行程序时，

要快速拿取大量暂存数据，

主要就靠 DRAM。

所以从：

手机、

PC、

Cloud Server、

Data Center

一路到 AI Workload，

都离不开 DRAM。

只是在最顶端的 AI Accelerator 里，

还会再使用速度更高、封装更特殊的：

HBM。

11.95nm 到底小在哪？

CXMT 今天说，

第五代平台把内存 Cell 关键结构之间的间距缩到：

11.95 nanometres。

大约是：

12 billionths of a metre。

简单讲：

原本一片晶圆上，

每个保存结构需要比较大的空间。

现在间距变小，

同样面积可以塞进：

更多 Memory Cells。

结果就是：

同一颗 Chip 可以放更多数据，

同一片 Wafer 也可能切出更多 Chips。

这正是内存制程进步最内核的方向之一。

但 CXMT 没有最先进 EUV，可以怎么继续缩？

这里就出现今天最有意思的技术：

Quadruple Patterning。

中文可以理解成：

四重图形化。

先不要管半导体术语。

把它想成：

你本来用一个印版，

一次印不出那么细的线。

那就：

第一次先做较大的 Pattern，

再透过多次分割、

重新沉积、

重新蚀刻，

一步一步把原本一条比较粗的 Pattern，

变成更细密的多条 Pattern。

也就是：

用更多制程步骤，换取更细的电路。

这不是没有成本。

步骤愈多，

通常意味着：

制程更复杂、

时间更长、

误差控制更难。

但对受到先进 Lithography Equipment 限制的中国芯片产业来说，

这是一条非常现实的路线。

为什么这跟美国出口限制有关？

美国从 2022 年起，

持续限制中国取得部分：

Advanced Semiconductor Equipment

和相关 Software。

中国芯片厂面对的问题是：

如果拿不到全球最先进的某些设备，

还能不能用现有设备，

透过更多制程技巧把线路继续缩小？

CXMT 今天公布的答案之一就是：

多重图形化。

公司还表示，

这个平台开发过程使用：

Computer Simulations，

并与中国本土 Chip Equipment Makers 合作处理关键制程。

所以今天真正值得看的，

不只是 CXMT 本身。

而是：

中国正在试着把「设备＋制程＋内存设计」一起本地化。

新 LPDDR5X 一颗可以放 24Gb

CXMT 同时推出两款：

24-gigabit LPDDR5X。

这里的 Gb 是 Gigabit。

不是手机广告常看到的 24GB。

8 bits = 1 byte。

所以 24Gb 换算下来，

单颗大约相当于：

3GB。

手机厂可以依实际设计，

组合多颗内存 Die／Package，

做出更大的总内存容量。

CXMT 表示，

这两款产品的容量比自己前一代同级产品：

增加 50%。

而且已经进入 Mass Production。

这就不是：

Research Demo。

也不是：

Laboratory Prototype。

而是准备真正进入供应链。

更重要的数字其实是「每片 Wafer 多 50%」

CXMT 还说，

以 8Gb Chip 为比较基准，

第五代平台每片 Wafer 能产出的：

Gross Chip Dies

比第四代：

至少增加 50%。

这个数字很重要。

因为芯片成本不能只看：

一颗做到多先进。

还要看：

一片 Wafer 最后能切出多少颗。

假设同样一片 300mm Wafer，

可以多切出很多内存晶粒，

理论上就有机会降低：

每颗 Die 的平均制造成本。

但这里还要加一个很重要的限制。

Gross Dies 多 50%，不代表可卖的芯片也多 50%

Reuters 特别提醒：

CXMT 说的是：

Gross Die Count。

也就是：

一片 Wafer 理论上切得出多少颗晶粒。

它不是：

Yield。

Yield 是：

这些晶粒里最后真正通过测试、

可以出货的比例。

例如：

旧制程一片 Wafer 有 500 颗，

良率 90%。

最后可用：

450 颗。

新制程可能做出 750 颗。

但如果早期良率只有 70%，

最后可用：

525 颗。

实际增加就没有表面上的 50% 那么多。

所以：

Die 数增加是好消息。

但真正决定成本竞争力的，

还要看：

Yield 能不能跟上。

CXMT 今天没有公布这项完整数字。

CXMT 自己说已经追上先进量产节点

CXMT 副总裁 Luo Xiaodong 在合肥举行的 2026 World Manufacturing Convention 表示：

公司的 Process Capability 现在已经可以与产业最先进的 Mass-produced Nodes 相比。

这是 CXMT 自己的说法。

目前 Reuters 报导没有提供 Samsung、SK Hynix 或 Micron 对这项技术宣称的独立验证。

所以比较准确的写法应该是：

CXMT 认为自己已经接近最先进量产 DRAM 制程。

而不是直接下结论：

中国 DRAM 已全面追上三星与 SK Hynix。

实际市场排名还有差距

CXMT 的确进步得非常快。

Reuters 今年 7 月整理数据时指出，

CXMT 在 2025 年全球 DRAM 市场的 Share 约：

7.7%。

排名全球第四。

前面仍然是：

Samsung
SK Hynix
Micron

三大传统内存厂。

所以今天这项量产突破真正代表的是：

第四名开始缩小技术差距。

不是全球市场排名突然反转。

那为什么这仍然和 AI 有关？

因为 AI Boom 已经不只吃 GPU。

Data Center 里真正运作 AI Workload，

还需要大量：

Server DRAM
HBM
NAND Storage
Networking
Power
Cooling

Reuters 今年 6 月就曾报导：

CXMT 和 Tencent 签下超过：

200 亿人民币

的长期 DRAM Supply Agreement。

供应的 DRAM 会进入 Tencent Servers。

而 Server 正是：

Cloud、

Database、

AI Workload

的重要基础。

也就是说，

CXMT 并不是只在做手机内存。

HBM 这条线也正在往前

8 月底又传出：

CXMT 已开始小批量生产：

HBM3E。

HBM3E 就是直接用在高性能 AI Chipset 的 Advanced High-bandwidth Memory。

当时的报导指出，

Alibaba T-Head、

Cambricon

等中国 Chip Designers 正在测试。

不过那项消息来自 The Information，

Reuters 是转述报导，

而且是：

Small-volume Production。

不是今天这种正式宣布：

Mass Production。

所以这两件事的证据强度不一样。

今天真正由 CXMT 正式确认量产的是：

第五代 DRAM Platform＋24Gb LPDDR5X。

昨天的 NAND 又是另一条线

更有意思的是：

两天前 Reuters 才独家报导，

CXMT 正准备跨进：

NAND Flash。

公司据报计划在北京新工厂创建：

NAND R&D Production Line。

NAND 跟 DRAM 功能不同。

DRAM：

暂存正在工作的数据。

NAND：

长期保存数据。

AI Server 现在两个都大量需要。

因此把最近三条线放在一起看：

DRAM

今天第五代 Platform 已 Mass Production。

HBM

据报 HBM3E 已进入 Small-volume Production 与客户验证。

NAND

正在准备创建 R&D Production Line。

这才是今天真正值得注意的画面。

CXMT 想做的不只是「再多卖一款手机内存」

如果只有今天的 LPDDR5X，

它主要还是手机与 Portable Device 市场。

但把：

Server DRAM、

HBM、

NAND

全部放在一起看，

CXMT 正慢慢从：

中国 DRAM 厂

往：

更完整的 Memory Supplier

移动。

而 AI Boom 刚好正在让 Memory 重新变成战略资产。

因为算力增加之后，

GPU 再快，

如果：

Memory Bandwidth 不够、

Server DRAM 不够、

Storage 不够，

整套系统仍然会被卡住。

对 Samsung、SK Hynix、Micron 真正的威胁不是明天

也不要因此直接理解成：

三星、SK Hynix、Micron 明天就要被 CXMT 打掉。

现在最大的差距仍然包括：

Advanced Process Yield
HBM Scale
Advanced Packaging
Global Customer Qualification
Production Stability
Equipment Access

这些都不是发布一个新 Platform 就能一次补齐。

但竞争方向已经变得很清楚。

以前中国内存供应链最大的问题是：

有没有。

接下来要比的会变成：

能不能量产。

再下一步则是：

良率、成本、容量与客户能不能真的大规模采用。

今天真正的分水岭是「从能做变成能量产」

研究室做出一颗内存，

和工厂每天稳定做出几十万、几百万颗，

是完全不同的问题。

半导体真正困难的地方往往不是：

第一次做出来。

而是：

同一个 Pattern，

每天重复几万次，

还要：

尺寸一致、

缺陷够少、

成本够低、

Yield 够高。

所以今天 CXMT 最值得看的字其实不是：

11.95nm。

而是：

Mass Production。

因为只有跨过这条线，

技术才开始真正影响：

价格、

供应、

客户选择，

以及全球 Memory Market。

AI 算力战最后不会只看谁能做出最强 GPU。

真正的大型 AI 系统，

需要的是整条供应链：

Compute

＋ Memory

＋ Storage

＋ Network

＋ Power。

CXMT 今天跨过的，

就是其中「Memory」这一块更接近大规模竞争的一步。

今天，和 AI 一起进步一点。

每天学会一个 AI 技巧。

每天节省一点时间。

每天提升一点能力。

SasaDaily，陪你一起成长。